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AOTF10N50FD

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MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F

AOTF10N50FD Technisches Datenblatt

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AOTF10N50FD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.14444 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1240 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PSMNR70-30YLHX
STD20NF10T4
NVMFS5C677NLT1G
NVMFS5C677NLT1G
$0 $/Stück
NTMFS4C10NT3G
NTMFS4C10NT3G
$0 $/Stück
NX138BKMYL
NX138BKMYL
$0 $/Stück
NTNS3C68NZT5G
NTNS3C68NZT5G
$0 $/Stück
DN1509N8-G
HUF75307D3
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