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AOW10N60

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MOSFET N-CH 600V 10A TO262

AOW10N60 Technisches Datenblatt

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AOW10N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.75600 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

NTNS3C68NZT5G
NTNS3C68NZT5G
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DN1509N8-G
HUF75307D3
HUF75307D3
$0 $/Stück
NTD78N03R-35G
NTD78N03R-35G
$0 $/Stück
NX6008NBKWX
NX6008NBKWX
$0 $/Stück
STU4N52K3
STU4N52K3
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SUD50P06-15-BE3
SIDR140DP-T1-RE3

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