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FDC6310P

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onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6

FDC6310P Technisches Datenblatt

compliant

FDC6310P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.22915 -
6,000 $0.21437 -
15,000 $0.19958 -
30,000 $0.18924 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.2A
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 337pF @ 10V
Leistung - max. 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
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