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EFC6612R-TF

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

EFC6612R-TF Technisches Datenblatt

nicht konform

EFC6612R-TF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.38825 -
1959995 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket 6-CSP (1.77x3.54)
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