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SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 8A

compliant

SQJ960EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.00965 -
6,000 $0.97461 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 735pF @ 25V
Leistung - max. 34W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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