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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 600V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 70A (Tc) |
| rds ein (max) @ id, vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| vgs(th) (max) @ ID | - |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 28nC @ 8V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 2260pF @ 100V |
| Leistung - max. | 470W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Koffer | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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