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FDC6321C

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onsemi

MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

FDC6321C Technisches Datenblatt

nicht konform

FDC6321C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24126 -
6,000 $0.22569 -
15,000 $0.21013 -
30,000 $0.19923 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 680mA, 460mA
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.3nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50pF @ 10V
Leistung - max. 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
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Zugehörige Teilenummer

DMN62D0UDWQ-13
BSS84DWQ-7
EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
$0 $/Stück
FDC6303N
FDC6303N
$0 $/Stück
STL7DN6LF3
STL7DN6LF3
$0 $/Stück
CSD85312Q3E
CSD85312Q3E
$0 $/Stück
FDMD8630
FDMD8630
$0 $/Stück
PMDPB42UN,115
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$0 $/Stück
SMA5125
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$0 $/Stück

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