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CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

CSD85312Q3E Technisches Datenblatt

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CSD85312Q3E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.38220 -
53400 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 39A
rds ein (max) @ id, vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2390pF @ 10V
Leistung - max. 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket 8-VSON (3.3x3.3)
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Zugehörige Teilenummer

FDMD8630
FDMD8630
$0 $/Stück
PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115
$0 $/Stück
SMA5125
SMA5125
$0 $/Stück
APTM50HM75STG
PMV27UPEA,215
FDC6302P
ZXMC3A17DN8TA
EFC6605R-TR
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$0 $/Stück

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