Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDC6561AN

FDC6561AN

FDC6561AN

onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

FDC6561AN Technisches Datenblatt

compliant

FDC6561AN Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20920 -
6,000 $0.19571 -
15,000 $0.18221 -
30,000 $0.17276 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A
rds ein (max) @ id, vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 220pF @ 15V
Leistung - max. 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

DMG4822SSD-13
CSD87384M
CSD87384M
$0 $/Stück
SQJ910AEP-T1_BE3
IRF7319TRPBF
QH8MA4TCR
QH8MA4TCR
$0 $/Stück
SI4936CDY-T1-GE3
BSM600D12P3G001
NDS8936
SLA5075
SLA5075
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.