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FDC8602

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onsemi

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

FDC8602 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDC8602 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.49280 -
6,000 $0.46816 -
15,000 $0.45056 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.2A
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 70pF @ 50V
Leistung - max. 690mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
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Zugehörige Teilenummer

QS6J1TR
QS6J1TR
$0 $/Stück
DMN3061SVT-13
NTGD3133PT1G
NTGD3133PT1G
$0 $/Stück
FDPC1002S
APTC60TAM24TPG
SI3134KDW-TP
DMN2215UDM-7

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