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FDD8876

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA

FDD8876 Technisches Datenblatt

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FDD8876 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.40508 -
5,000 $0.37863 -
12,500 $0.36541 -
25,000 $0.35820 -
1950 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta), 73A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.2mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SI4842BDY-T1-E3
IXFT86N30T
IXFT86N30T
$0 $/Stück
SI8812DB-T2-E1
DI035P04PT-AQ
DMN53D0LW-7
FDU8796
IRFP17N50LPBF
SIHG026N60EF-GE3
NVBG020N090SC1
NVBG020N090SC1
$0 $/Stück

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