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SIHG026N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

nicht konform

SIHG026N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $14.98000 $14.98
500 $14.8302 $7415.1
1000 $14.6804 $14680.4
1500 $14.5306 $21795.9
2000 $14.3808 $28761.6
2500 $14.231 $35577.5
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 95A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 26mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 227 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7926 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 521W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NVBG020N090SC1
NVBG020N090SC1
$0 $/Stück
FDS6692
NTD70N03R-1G
NTD70N03R-1G
$0 $/Stück
DMN33D8LT-13
FDPF7N50F
NTMFS5C404NT1G
NTMFS5C404NT1G
$0 $/Stück
SIHF640S-GE3
SIHF640S-GE3
$0 $/Stück
NDD04N50ZT4G
NDD04N50ZT4G
$0 $/Stück
SCT4026DW7HRTL

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