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SIHF640S-GE3

SIHF640S-GE3

SIHF640S-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

compliant

SIHF640S-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.10550 $1.1055
500 $1.094445 $547.2225
1000 $1.08339 $1083.39
1500 $1.072335 $1608.5025
2000 $1.06128 $2122.56
2500 $1.050225 $2625.5625
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NDD04N50ZT4G
NDD04N50ZT4G
$0 $/Stück
SCT4026DW7HRTL
STL210N4F7AG
NTMT150N65S3HF
NTMT150N65S3HF
$0 $/Stück
NTD4809NH-35G
NTD4809NH-35G
$0 $/Stück
SQM10250E_GE3
NVTFS6H860NTAG
NVTFS6H860NTAG
$0 $/Stück
STW56N65DM2
SIHG17N80E-GE3

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