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NTD4809NH-35G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

nicht konform

NTD4809NH-35G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
58847 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 11.5V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2155 pF @ 12 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

SQM10250E_GE3
NVTFS6H860NTAG
NVTFS6H860NTAG
$0 $/Stück
STW56N65DM2
SIHG17N80E-GE3
FDBL9406-F085T6
FDBL9406-F085T6
$0 $/Stück
NTD20N03L27-1G
NTD20N03L27-1G
$0 $/Stück
NTD4809NA-1G
NTD4809NA-1G
$0 $/Stück

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