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SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 65A TO263

compliant

SQM10250E_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.65805 $1326.44
1,600 $1.52163 -
2,400 $1.41669 -
5,600 $1.36422 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4050 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS6H860NTAG
NVTFS6H860NTAG
$0 $/Stück
STW56N65DM2
SIHG17N80E-GE3
FDBL9406-F085T6
FDBL9406-F085T6
$0 $/Stück
NTD20N03L27-1G
NTD20N03L27-1G
$0 $/Stück
NTD4809NA-1G
NTD4809NA-1G
$0 $/Stück
R6007ENJTL
R6007ENJTL
$0 $/Stück

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