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STW56N65DM2

STW56N65DM2

STW56N65DM2

MOSFET N-CH 650V 48A TO247

STW56N65DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STW56N65DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.35000 $12.35
30 $10.26900 $308.07
120 $9.34500 $1121.4
510 $7.95900 $4059.09
1,020 $7.03500 -
570 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 48A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 88 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4100 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHG17N80E-GE3
FDBL9406-F085T6
FDBL9406-F085T6
$0 $/Stück
NTD20N03L27-1G
NTD20N03L27-1G
$0 $/Stück
NTD4809NA-1G
NTD4809NA-1G
$0 $/Stück
R6007ENJTL
R6007ENJTL
$0 $/Stück
SQ3425EV-T1_BE3
DMP2067LSS-13

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