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FDG6322C

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onsemi

MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

FDG6322C Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG6322C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.13576 -
6,000 $0.12753 -
15,000 $0.11931 -
30,000 $0.10943 -
75,000 $0.10532 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 220mA, 410mA
rds ein (max) @ id, vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9.5pF @ 10V
Leistung - max. 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
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Zugehörige Teilenummer

FDS8926A
DMTH4007SPDQ-13
FDW2503NZ
CAS175M12BM3
CAS175M12BM3
$0 $/Stück
ECH8663R-TL-H
ECH8663R-TL-H
$0 $/Stück
STS8DN3LLH5
BUK7K17-60EX
DMG1026UV-7

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