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FDMC610P

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onsemi

MOSFET P-CH 12V 80A POWER33

FDMC610P Technisches Datenblatt

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FDMC610P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.89100 -
6,000 $0.85800 -
126 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 99 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Power33
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

PSMN8R3-40YS,115
NTMFS4833NAT1G
NTMFS4833NAT1G
$0 $/Stück
APT50M75B2LLG
IXTY1R6N50D2-TRL
IXTY1R6N50D2-TRL
$0 $/Stück
NTD80N02-001
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$0 $/Stück
NDP7060
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$0 $/Stück
STF34N65M5
STF34N65M5
$0 $/Stück

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