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FDMC86012

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 23A POWER33

FDMC86012 Technisches Datenblatt

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FDMC86012 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.18800 -
6,000 $1.14400 -
2103 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5075 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Power33
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRL540SPBF
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$0 $/Stück
BUK9523-75A,127
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$0 $/Stück
IXTP130N10T
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STF16N50M2
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NTE491SM
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DMN3025LFDF-13
IXTK60N50L2
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NX3008NBKW,115

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