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FDMD8530

FDMD8530

FDMD8530

onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 35A

FDMD8530 Technisches Datenblatt

compliant

FDMD8530 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.87170 -
6,000 $0.83941 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A
rds ein (max) @ id, vgs 1.25mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 149nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10395pF @ 15V
Leistung - max. 2.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket Power56
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Zugehörige Teilenummer

SIA511DJ-T1-GE3
SI1034X-T1-E3
IRF7331TRPBF
FDMD85100
FDMD85100
$0 $/Stück
ZXMC4559DN8TC
SI7218DN-T1-GE3
SI4923DY-T1-E3
PMWD16UN,518
PMWD16UN,518
$0 $/Stück
NTHD3100CT3G
NTHD3100CT3G
$0 $/Stück

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