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FDMS3669S

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56

FDMS3669S Technisches Datenblatt

nicht konform

FDMS3669S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.41950 -
6,000 $0.39852 -
15,000 $0.38354 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A, 18A
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1605pF @ 15V
Leistung - max. 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket Power56
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Zugehörige Teilenummer

SLA5061
SLA5061
$0 $/Stück
DMN2041UFDB-13
APTM50TAM65FPG
FDS6984S
DMN601DWK-7
SI9933CDY-T1-GE3
DMP2110UVTQ-13
NTQD6866R2
NTQD6866R2
$0 $/Stück
CSD85302LT
CSD85302LT
$0 $/Stück
QH8KA4TCR
QH8KA4TCR
$0 $/Stück

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