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FDMS4D4N08C

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN

FDMS4D4N08C Technisches Datenblatt

compliant

FDMS4D4N08C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.48846 -
2236 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 123A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.3mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4090 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6), Power56
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMNH6042SPSQ-13
SQJ433EP-T1_GE3
DMT35M4LFVW-13
DMP3011SFVW-7
NVMFS5H610NLT1G
NVMFS5H610NLT1G
$0 $/Stück
RFH10N50
RFH10N50
$0 $/Stück
FDR836P
UJ4C075060K3S
UJ4C075060K3S
$0 $/Stück

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