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FDMS6673BZ

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onsemi

MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN

FDMS6673BZ Technisches Datenblatt

compliant

FDMS6673BZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.05525 -
6,000 $1.01840 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5915 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQM110N05-06L_GE3
DMTH8012LK3-13
SISS26DN-T1-GE3
R8002KNXC7G
IRFR120TRPBF
IRFR120TRPBF
$0 $/Stück
STW23N80K5
STW23N80K5
$0 $/Stück
HUFA75852G3
NTMFS4C03NT3G
NTMFS4C03NT3G
$0 $/Stück
IXTQ18N60P
IXTQ18N60P
$0 $/Stück

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