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FDMS7660

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MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN

FDMS7660 Technisches Datenblatt

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FDMS7660 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.69943 -
6,000 $0.66639 -
15,000 $0.64279 -
10350 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5565 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF3007PBF
PMPB12UN,115
PMPB12UN,115
$0 $/Stück
CSD19535KCS
CSD19535KCS
$0 $/Stück
FQPF9N50CF
FQPF9N50CF
$0 $/Stück
IXTK200N10P
IXTK200N10P
$0 $/Stück
SI9435BDY-T1-GE3
IRLR120TRRPBF
SIDR638DP-T1-GE3
STD10N60M6
STD10N60M6
$0 $/Stück
TN0110N3-G

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