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SIDR638DP-T1-GE3

SIDR638DP-T1-GE3

SIDR638DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC

compliant

SIDR638DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.06354 -
6,000 $1.02663 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 204 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10500 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STD10N60M6
STD10N60M6
$0 $/Stück
TN0110N3-G
PSMN025-80YLX
NTD4860N-1G
NTD4860N-1G
$0 $/Stück
IXTA102N15T
IXTA102N15T
$0 $/Stück
DMN2310U-13

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