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AOTF13N50

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MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F

AOTF13N50 Technisches Datenblatt

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AOTF13N50 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.70000 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 510mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1633 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTA102N15T
IXTA102N15T
$0 $/Stück
DMN2310U-13
ZVN2110GTA
RM80N30DF
RM80N30DF
$0 $/Stück
APT43M60L
STD1057T4
STD1057T4
$0 $/Stück
NVTYS005N04CTWG
NVTYS005N04CTWG
$0 $/Stück
APT10078BFLLG

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