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FDMS86180

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MOSFET N-CH 100V 151A POWER56

FDMS86180 Technisches Datenblatt

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FDMS86180 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.67996 -
6,000 $1.61681 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 151A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 370µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 54 nC @ 6 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6215 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 138W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Power56
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

STF130N10F3
MTD5N25E1
MTD5N25E1
$0 $/Stück
IXFN100N50Q3
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$0 $/Stück
STD16N50M2
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$0 $/Stück
FCH099N65S3-F155
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$0 $/Stück
RTL030P02TR
CSD16408Q5C
CSD16408Q5C
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