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FDMS86200

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MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

FDMS86200 Technisches Datenblatt

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FDMS86200 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.99495 -
6,000 $0.95810 -
24000 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2715 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

FQB6N80TM
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$0 $/Stück
FQI5N20TU
CSD22205L
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STF12N65M5
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DMP1045UFY4-7
FQB22P10TM
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VP2206N3-G
STD18NF03L
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