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FDP047N10

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

FDP047N10 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDP047N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.31000 $4.31
10 $3.85000 $38.5
100 $3.15700 $315.7
500 $2.55640 $1278.2
1,000 $2.15600 -
300 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.7mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 210 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15265 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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