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FDP8D5N10C

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3

FDP8D5N10C Technisches Datenblatt

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FDP8D5N10C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $2.47411 $1979.288
146 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 76A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 76A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2475 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STP33N65M2
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$0 $/Stück
APT10M19SVRG
MCH5837-TL-E
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$0 $/Stück
STL6N2VH5
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$0 $/Stück
IXTA4N150HV
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$0 $/Stück
NDF03N60ZG
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IXFK44N80Q3
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$0 $/Stück
DMP3028LK3-13

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