Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDS3812

FDS3812

FDS3812

onsemi

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

FDS3812 Technisches Datenblatt

compliant

FDS3812 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.4A
rds ein (max) @ id, vgs 74mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 634pF @ 40V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIZ920DT-T1-GE3
NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
$0 $/Stück
SI5944DU-T1-GE3
US5K3TR
US5K3TR
$0 $/Stück
SH8K5TB1
SH8K5TB1
$0 $/Stück
SIZ700DT-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.