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FDS6900AS-G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

FDS6900AS-G Technisches Datenblatt

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FDS6900AS-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.9A, 8.2A
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600pF @ 15V
Leistung - max. 900mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

GWM180-004X2-SMDSAM
GWM180-004X2-SMDSAM
$0 $/Stück
GWM180-004X2-SLSAM
GWM180-004X2-SLSAM
$0 $/Stück
IRFP250S2453
GWM160-0055X1-SL
GWM160-0055X1-SL
$0 $/Stück
BUK9MNN-65PKK,518
APTM10DHM09TG

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