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FDS6911

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

FDS6911 Technisches Datenblatt

compliant

FDS6911 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.69846 -
5,000 $0.66546 -
12,500 $0.64189 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1130pF @ 15V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

FDS8958
FDW2521C
SI7214DN-T1-E3
STC5NF20V
STC5NF20V
$0 $/Stück
IRF9910TR
DMN2991UDJ
FDS6982AS_G
FDS6982AS_G
$0 $/Stück
SI7960DP-T1-GE3
ZXMC3A17DN8TC
SI4816DY-T1-E3

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