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FQB33N10TM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

FQB33N10TM Technisches Datenblatt

compliant

FQB33N10TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $0.81929 $655.432
1,600 $0.74402 -
2,400 $0.69699 -
5,600 $0.66406 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BSH205,215
BSH205,215
$0 $/Stück
HUF76629D3ST
HUF76629D3ST
$0 $/Stück
SIR165DP-T1-GE3
FDB8442
CSD17578Q5A
CSD17578Q5A
$0 $/Stück

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