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FQD5N20LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

FQD5N20LTM Technisches Datenblatt

compliant

FQD5N20LTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.26690 -
5,000 $0.24948 -
12,500 $0.24077 -
25,000 $0.23602 -
151 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.2 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 325 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FQT1N60CTF-WS
FQT1N60CTF-WS
$0 $/Stück
DMT10H010LK3-13
R6020JNZC8
R6020JNZC8
$0 $/Stück
SQ2310ES-T1_BE3
FDBL0240N100
FDBL0240N100
$0 $/Stück
RM4N650IP
RM4N650IP
$0 $/Stück
STFW8N120K5
MTAJ30N06ELFK
MTAJ30N06ELFK
$0 $/Stück
SI3437DV-T1-E3

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