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FQD6N60CTM-WS

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

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FQD6N60CTM-WS Preise und Bestellung

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2,500 $0.76740 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 810 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IXTA52P10P
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IXFK80N50P
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NDP6060
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FQP12N60
NTD4860NA-1G
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STW20NK50Z
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