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FQP22N30

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3

FQP22N30 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQP22N30 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.05000 $3.05
10 $2.75800 $27.58
100 $2.21660 $221.66
500 $1.72404 $862.02
1,000 $1.42848 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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