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FQP32N20C

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3

FQP32N20C Technisches Datenblatt

compliant

FQP32N20C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.44000 $2.44
10 $2.21400 $22.14
100 $1.79110 $179.11
500 $1.40706 $703.53
1,000 $1.17664 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 82mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NDDL01N60Z-1G
NDDL01N60Z-1G
$0 $/Stück
SQD40081EL_GE3
IRF8304MTRPBF
IXFB150N65X2
IXFB150N65X2
$0 $/Stück
NTD4965N-35G
NTD4965N-35G
$0 $/Stück
SI7804DN-T1-E3

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