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SI7804DN-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8

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SI7804DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.59040 -
6,000 $0.56268 -
15,000 $0.54288 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

RM5N800TI
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STU6N60M2
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SI2323DDS-T1-BE3
PSMN4R3-30PL,127
NTHL027N65S3HF
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