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STU6N60M2

STU6N60M2

STU6N60M2

MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK

STU6N60M2 Technisches Datenblatt

compliant

STU6N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.53000 $1.53
75 $1.24267 $93.20025
150 $1.09633 $164.4495
525 $0.86642 $454.8705
1,050 $0.69920 -
2,550 $0.65740 -
5,025 $0.62814 -
3634 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 232 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

SQJQ404E-T1_GE3
SI2323DDS-T1-BE3
PSMN4R3-30PL,127
NTHL027N65S3HF
NTHL027N65S3HF
$0 $/Stück
RM35P30LD
RM35P30LD
$0 $/Stück
DMP21D0UT-7
IXTT68P20T
IXTT68P20T
$0 $/Stück
SIRA20BDP-T1-GE3

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