Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

nicht konform

SQJQ404E-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.32189 -
6,000 $1.27602 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.72mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 16480 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer PowerPAK® 8 x 8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI2323DDS-T1-BE3
PSMN4R3-30PL,127
NTHL027N65S3HF
NTHL027N65S3HF
$0 $/Stück
RM35P30LD
RM35P30LD
$0 $/Stück
DMP21D0UT-7
IXTT68P20T
IXTT68P20T
$0 $/Stück
SIRA20BDP-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.