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SIRA20BDP-T1-GE3

SIRA20BDP-T1-GE3

SIRA20BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

SOT-23

nicht konform

SIRA20BDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 82A (Ta), 335A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 186 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9950 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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