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RM5N800TI

RM5N800TI

RM5N800TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO220F

RM5N800TI Technisches Datenblatt

compliant

RM5N800TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1320 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 32.4W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STU6N60M2
STU6N60M2
$0 $/Stück
SQJQ404E-T1_GE3
SI2323DDS-T1-BE3
PSMN4R3-30PL,127
NTHL027N65S3HF
NTHL027N65S3HF
$0 $/Stück
RM35P30LD
RM35P30LD
$0 $/Stück
DMP21D0UT-7
IXTT68P20T
IXTT68P20T
$0 $/Stück
SIRA20BDP-T1-GE3

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