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FQPF630

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F

FQPF630 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF630 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.41000 $1.41
10 $1.25200 $12.52
100 $0.99670 $99.67
500 $0.78024 $390.12
1,000 $0.62275 -
1833 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 550 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NVMFD6H852NLWFT1G
NVMFD6H852NLWFT1G
$0 $/Stück
R6511END3TL1
E3M0120090D
E3M0120090D
$0 $/Stück
DMN65D8LQ-7
FQPF47P06
FQPF47P06
$0 $/Stück
RM115N65T2
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$0 $/Stück
RQ1E100XNTR
HUF76609D3ST
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$0 $/Stück

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