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RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

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MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

RQ1E100XNTR Technisches Datenblatt

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RQ1E100XNTR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.37800 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12.7 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 550mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TSMT8
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
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Zugehörige Teilenummer

HUF76609D3ST
HUF76609D3ST
$0 $/Stück
SI2333DS-T1-E3
DMP2036UVT-7
NTLGF3501NT2G
NTLGF3501NT2G
$0 $/Stück
PSMN6R7-40MSDX
SIHW73N60E-GE3

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