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FQPF9N90CT

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onsemi

MOSFET N-CH 900V 8A TO220F

FQPF9N90CT Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF9N90CT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.47000 $3.47
10 $3.09400 $30.94
100 $2.53730 $253.73
500 $2.05462 $1027.31
1,000 $1.73281 -
991 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2730 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SISH402DN-T1-GE3
BUK9Y43-60E,115
PSMN4R8-100YSEX
IXFH28N60P3
IXFH28N60P3
$0 $/Stück
TP90H050WS
TP90H050WS
$0 $/Stück
NTK3139PT5G
NTK3139PT5G
$0 $/Stück
APT50M50JLL

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