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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 500mA (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 1.85mOhm @ 250mA, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.2V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 3.2 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 80 pF @ 20 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-MCPH |
| Paket / Koffer | 3-SMD, Flat Leads |
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