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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 2GHz |
| Rauschmaß (db typ @ f) | 5dB @ 200MHz |
| gewinnen | 15dB |
| Leistung - max. | 350mW |
| Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Strom - Kollektor (ic) (max) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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