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NTB30N06LT4

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

NTB30N06LT4 Technisches Datenblatt

compliant

NTB30N06LT4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 15A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 5 V
vgs (max) ±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRF7706
IRF7706
$0 $/Stück
SI6467BDQ-T1-GE3
FDD6637-F085
FDD6637-F085
$0 $/Stück
STD100N10LF7AG
SI7495DP-T1-E3
STL9P2UH7
STL9P2UH7
$0 $/Stück
SUM40N15-38-E3
NTBV75N06T4G
NTBV75N06T4G
$0 $/Stück
IRFZ34NLPBF

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