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NTBGS004N10G

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onsemi

POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS

nicht konform

NTBGS004N10G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.20000 $7.2
500 $7.128 $3564
1000 $7.056 $7056
1500 $6.984 $10476
2000 $6.912 $13824
2500 $6.84 $17100
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Ta), 203A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 178 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12100 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

IXFP56N30X3M
IXFP56N30X3M
$0 $/Stück
NDC631N
IRLR7833
RZF030P01TL
IRFBE30PBF-BE3
AUIRFS3006-7P
IXTP2N100
IXTP2N100
$0 $/Stück
IRFB4321PBF
NVMFS5C645NT1G
NVMFS5C645NT1G
$0 $/Stück

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